型号：BF1206+115

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型号：BF1206+115

型号：BF1206+115

产品属性 属性值 选择属性
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 30 mA
Vds-漏源极击穿电压: 6 V, 6 V
Rds On-漏源导通电阻: -
小工作温度: - 65 C
大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-143B-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Gate
高度: 1 mm
长度: 2.2 mm
Pd-功率耗散: 180 mW
产品类型: RF MOSFET Transistors
3000
子类别: MOSFETs
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V, 10 V
宽度: 1.35 mm
零件号别名: BF1206
单位重量: 6 mg

型号：BF1206+115