型号：PHB174NQ04LT

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型号：PHB174NQ04LT

产品属性 属性值 选择属性
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 75 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 15 V, + 15 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
配置: Single
下降时间: 132 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 118 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 197 ns
典型接通延迟时间: 44 ns
零件号别名: PHB174NQ04LT,118
单位重量: 4 g

型号：PHB174NQ04LT